江苏大亚自控设备有限公司
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单晶硅压力变送器采用世界上先进的单晶硅压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款技术的超高性能压力变送器。单晶硅压力传感器位于金属本体Z顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。
DY-3051T单晶硅压力变送器采用世界上先进的单晶硅压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款技术的超高性能压力变送器。单晶硅压力传感器位于金属本体zui顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。这些*的单晶硅压力传感器封装技术确保了单晶硅压力变送器可从容应对的化学场合和机械负荷，足以应对zui为苛刻的工业环境应用，是名副其实的隐形仪表。
优势
先1、进的单晶硅压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款技术的超高性能压力变送器。
2、双膜片过载结构，从容应对高过载考验。
3、用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能强大的24位ADC实现高精度与快速应答。
4、显示模块可360°旋转，按键参数操作功能友好。
5、按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷。
6、高性能单晶硅压力变送器，技术与中国智造的*结合
7、坚固优质的不锈钢过程法兰，超厚的加强结构，坚不可摧，高静压、高过载的强大保障。
特征
1、测量范围: 200Pa - 10MPa
2、输出信号: 4-20mA,4~20mA/HART , customer
3、参考精度: 0.075% URL, optional 0.05% URL
4、介质温度: -40-120℃,
5、测量介质：液体、气体或蒸汽
6、电源: 4~20mA两线制,电源: 10.5-55vdc
7、4~20mA+HART 两线制,电源: 16.5-55vdc
8、膜片材质：316L不锈钢，哈氏合金C
9、年稳定性: ±0.2% URL/60 月
10、过程连接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)
11、防护等级: IP67
12、认证: CE认证，防爆认证
应用
1、过程控制系统
2、石油工业
3、化工行业
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