一·真空生长炉 科研对晶体生长过程 设备用途

　　设备主要用于科研对晶体生长过程，可用于制备氧化物单晶和金属单晶晶体制备，如蓝宝石、GGG，YAG，LaAlO3，Si和Ge等

二·真空生长炉 科研对晶体生长过程  产品特点

1·模块化设计，结构紧凑，外形美观，

2·采用侧部开门，结构精巧，方便，移动平稳装卸料方便

3· 采用触摸屏+plc控制方式，自动化程度高，操作直观，功能强大。

4· 在触摸屏内可预存几十种烧结工艺，一次编辑，以后直接调用使用，省去多次编辑工艺的麻烦，避免输入错误，烧坏产品。

5· 烧结的温度，真空度，等数据可实时记录，也可随时启动停止记录，减少无用数据，数据可查询，可导出下载。

6· 烧结温度高，用石墨坩埚，可达2100℃，

三·设备参数

1·设备总功率：≤35Kw；电源电压：3相380V,50Hz

2·设计温度：2100℃ 加热功率 ≤25Kw 三相380V 30-80KHz 高频感应加热

3·额定温度：室温~2100℃

4. 感应线圈尺寸：Ф90×100mm（直径×高，） 中间设置保温层坩埚底放置线圈内部，防止底部材料固化。

6·腔体尺寸卧式Ф400Ф500mm（暂定）

7.测温系统： 在坩埚侧部设计测温孔 配置红外测温仪和欧陆程序仪表

9. 提拉速度：              慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）

10. 提拉杆旋转速度0.1-25r/min

11. 提拉杆升降快速速度：≤35mm/min

12. 提拉行程：≤300mm

13. 炉内充气压力：≤0.03MPa

14. 冷态极限真空度：6.7*10^-4pa（配置真空计，真空规管配置油陶瓷防腐涂层）